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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package

Microsemi

美高森美

更新时间:2026-1-5 12:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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全新原装正品,现货销售
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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