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N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features •LowOn-Resistance •25mΩ@VGS=4.5V •29mΩ@VGS=2.5V •36mΩ@VGS=1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant •ESDProtectedUpTo2kV MechanicalData •Case:SOT-23 •CaseMaterial:MoldedPlast

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

DualN-ChannelLogicalLevelMOSFET

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AnalogPower

Analog Power

AnalogPower

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

文件:254.89 Kbytes Page:5 Pages

AnalogPower

Analog Power

AnalogPower

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

文件:319.83 Kbytes Page:5 Pages

AnalogPower

Analog Power

AnalogPower

StandardSingle-phaseFullwave

文件:538.78 Kbytes Page:16 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
更新时间:2025-6-4 22:58:01
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