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ME4946A

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4946 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead

TUOFENG

拓锋半导体

VHB Tape - Specialty Tapes

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3M

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

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微碧半导体

更新时间:2025-10-23 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
松木
24+
NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
松木
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原装正品,假一罚十

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    ME3110AM6G,全新.当天发货0755-82732291当天发货或门市自取. 企鹅:一七五五二三二五七五 /企鹅:一一五七六一一五八五,威:八七六八零五五八.

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    属性 参数值 商品目录 电压基准芯片 输出电压(最小值/固定) 2.5V 输出电流 100mA 输出电压(最大值) 36V 输入电压 - 电源电流 - 输出类型 可调式 工作温度 -40°C ~ 150°C(TA) 温度系数 20ppm/°C 阴极电流 1mA 精度 ±0.4%_ 参考源类型 分流器

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