| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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ME4946 | Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
ME4946 | MOSFET | Forcemos 力士科技 | | |
ME4946 | Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.20245 Mbytes Page：5 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | |
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4946 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
VHB™ Tape Specialty Tapes 文件：533.41 Kbytes Page：9 Pages | 3M | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.09215 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
VHB Tape - Specialty Tapes 文件：735.51 Kbytes Page：9 Pages | 3M | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.95065 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
松木 |
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ME |
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ME6206A25M3G，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-7-4ME3110AM6G
ME3110AM6G,全新.当天发货0755-82732291当天发货或门市自取. 企鹅：一七五五二三二五七五 /企鹅：一一五七六一一五八五，威:八七六八零五五八.
2021-5-30ME431AXG
属性 参数值 商品目录 电压基准芯片 输出电压（最小值/固定） 2.5V 输出电流 100mA 输出电压（最大值） 36V 输入电压 - 电源电流 - 输出类型 可调式 工作温度 -40°C ~ 150°C(TA) 温度系数 20ppm/°C 阴极电流 1mA 精度 ±0.4%_ 参考源类型 分流器
2020-10-20ME6203A33PG
ME6203A33PG，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-20ME6203
ME6203，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-6
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