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MDP8N60	N-ChannelMOSFET600V,8A,1.0(ohm) 文件：997.99 Kbytes Page：6 Pages	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MDP8N60TH	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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8N60	7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC8N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingap	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
8N60	iscN-ChannelMosfetTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements ·DESCRITION ·Designedforhigheffi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
8N60	7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：217.21 Kbytes Page：8 Pages	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
8N60	N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：473.72 Kbytes Page：7 Pages	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
8N60	8A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：879.04 Kbytes Page：12 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

MDP8N60产品属性

类型
描述
型号
MDP8N60
制造商
MagnaChip
功能描述
N-Channel MOSFET 600V, 8A, 0.95?[

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更新时间：2024-6-22 13:00:00

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MDLS24119D-02，代理销售，兴中扬电子，只售原装货，值得信赖合作共赢
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LM117可调三端正电压稳压器能够提供在超过一个1.2V至37V的输出范围为0.5A。这是非常容易使用和只需要两个外部电阻设置输出电压。此外，线和负荷调节比标准的固定稳压器。除了高于固定稳压器的性能，在LM117提供全面的过载只有在IC的保护。在芯片上包括电流限制，热过载保护和安全区的保护。所有过载保护电路仍然存在功能齐全的，即使调整终端断开。通常情况下，没有电容器需要，除非该装置位于超过6英寸在这种情况下，需要输入旁路输入滤波电容。一个可选的输出可以添加电容，以改善瞬态响应。调整终端可以绕过来实现非常高纹波抑制比，这是很难实现的标准三端稳压器。除了取代固定的稳压器，LM117是在其他多种有用
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