| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MDP5N50B | N-Channel MOSFET 500V, 5.0 A, 1.4(ohm) 文件：1.15233 Mbytes Page：8 Pages | MGCHIP |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel MOSFET 500V, 5.0 A, 1.4(ohm) 文件：1.15233 Mbytes Page：8 Pages | MGCHIP | | ||
500V N-Ch MOSFET | MGCHIP | | ||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.07716 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
500V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：177.34 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
5A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：201.77 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：2.93481 Mbytes Page：8 Pages | SUNMATE 森美特 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：291.11 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MAGNACHIP/美格纳 |
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NA/ |
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MAGNACHIP/美格纳 |
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2013-1-15
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