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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
20N60

20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

20N60B

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

20N60

Fast Switching

文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

20N60

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20N60A

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages

YFWDIODE

佑风微电子

MDF20N60供应商更多...

更新时间：2025-8-12 12:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市盈慧通电子有限公司
20N60S5
Infineon(英飞凌)
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  • MDD44-16N1B

    专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件；主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元

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  • MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK

    •保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用？ 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立，NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源，直接接地，而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频

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    LM117可调三端正电压稳压器能够提供在超过一个1.2V至37V的输出范围为0.5A。这是非常容易使用和只需要两个外部电阻设置输出电压。此外，线和负荷调节比标准的固定稳压器。除了高于固定稳压器的性能，在LM117提供全面的过载只有在IC的保护。在芯片上包括电流限制，热过载保护和安全区的保护。所有过载保护电路仍然存在功能齐全的，即使调整终端断开。通常情况下，没有电容器需要，除非该装置位于超过6英寸在这种情况下，需要输入旁路输入滤波电容。一个可选的输出可以添加电容，以改善瞬态响应。调整终端可以绕过来实现非常高纹波抑制比，这是很难实现的标准三端稳压器。除了取代固定的稳压器，LM117是在其他多种有用

    2013-1-15

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