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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMD70R900PRH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 700V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

70R900P

700V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.37172 Mbytes Page：10 Pages

MGCHIP

MMD70R900P

700V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.21164 Mbytes Page：10 Pages

MGCHIP

MMD70R900PRH

700V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.21164 Mbytes Page：10 Pages

MGCHIP

MMF70R900P

700V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.09912 Mbytes Page：10 Pages

MGCHIP

MDD70R900P供应商更多...

更新时间：2025-11-1 11:16:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宇创芯科技有限公司
MMD70R900PRH
MAGNACHIP/美格纳
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
MMD70R900PRH
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270
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    专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件；主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元

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    •保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用？ 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立，NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源，直接接地，而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频

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