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MMD70R900PRH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MMD70R900PRH

700V0.9(ohm)N-channelMOSFET

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MagnaChip Semiconductor.

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更新时间:2025-8-4 16:33:00
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