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MC33285D

Automotive Dual High Side TMOS Driver

Dual High-Side TMOS Driver A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MC33285D

Dual High-Side TMOS Driver

Dual High-Side TMOS Driver A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MC33285D

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

ETC

知名厂家

MC33285

Automotive Dual High Side TMOS Driver

Dual High-Side TMOS Driver A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MC33285DR2

Dual High-Side TMOS Driver

Dual High-Side TMOS Driver A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

33285

Dual High-Side TMOS Driver

Dual High-Side TMOS Driver A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance

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MCZ33285EF

Dual High-Side TMOS Driver

Dual High-Side TMOS Driver A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance

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MC33285D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MC33285D

  • 功能描述

    IC DRIVER DUAL H-SIDE TMOS 8SOIC

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列

    -

  • 标准包装

    50

  • 系列

    -

  • 配置

    高端

  • 输入类型

    非反相

  • 延迟时间

    200ns 电流 -

  • 峰

    250mA

  • 配置数

    1

  • 输出数

    1 高端电压 -

  • 最大（自引导启动）

    600V

  • 电源电压

    12 V ~ 20 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    8-DIP（0.300，7.62mm）

  • 供应商设备封装

    8-DIP

  • 包装

    管件

  • 其它名称

    *IR2127

MC33285D供应商更多...

更新时间：2025-8-18 13:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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