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MBRD5H100_V01

Switch-modeSchottkyPowerRectifierSurfaceMountPowerPackage

ThisseriesofPowerRectifiersemploystheSchottkyBarrier principleinalargemetal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−art geometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationand metaloverlaycontact.Ideallysuitedforuseinlowvoltage,high frequencyswitchingpowersupp

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-8-4 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
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TO-252
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