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MBRA140_V01

SurfaceMountSchottkyPowerRectifierSMAPowerSurfaceMountPackage

ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

1/2(12.7mm)Single-TurnWirewoundBushingMountTypePrecisionPotentiometer

FEATURES •Ohmicvaluerange:50upto20k •Smallestsizeavailable:12.7mm •Mechanicalstopsonrequest •Hightorqueandsealedversionsavailable •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

RoHS-CompliantCommencingWith8/2/2022Production

Construction a)MaterialNylon,hightenacity,continuousfilament b)TypeI c)Size3 d)FinishC-SyntheticRubber(Elastomeric)Coating,mercuryandcopperfree e)Dimensions0.085+/-0.009x0.014+/-0.003 f)ColorBlack&White

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

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PELTIERMODULE

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CUI

CUI Inc.

CUI

PowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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更新时间:2025-5-15 11:31:00
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