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650VFieldStopIGBT

GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnaChip’sFieldStopTrenchIGBTTechnology,whichprovideshighperformance,excellentqualityandhighruggedness. Thisdeviceisformotorcontrol. Features ■Highruggednessformotorcontrol ■VCE(sat)positivetemperaturecoeffi

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

HighSpeedIGBT3Chip

Features: •650VTrench&FieldStoptechnology •highspeedswitchingseriesthirdgeneration •lowVCE(sat) •lowEMI •lowturn-offlosses •positivetemperaturecoefficient •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications Recommendedfor: •discretecomponentsandmodules Appli

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

650Vtrench&fieldstoptechnology

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更新时间:2024-6-22 11:47:01
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