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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP75P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 6.2 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −37.5 A) • Low Ciss: Ciss = 3200 pF TYP. (VDS = −25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type •

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75A, 30V P-CHANNEL POWER MOSFET

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更新时间:2025-12-17 20:00:01
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