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位置：首页 > IC中文资料第10034页 > M59DR032EA

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
M59DR032EA

32Mbit(2Mbx16,DualBank,Page)1.8VSupplyFlashMemory

SUMMARYDESCRIPTION TheM59DR032Eisa32Mbit(2Mbitx16)non-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitryanda1.65Vto2.2VVDDQsupplyfortheInput/Outputpins.Anopt

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
M59DR032EA10ZB6

封装/外壳：48-LFBGA 包装：托盘 描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 集成电路（IC） 存储器

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
M59DR032EA10ZB6T

封装/外壳：48-LFBGA 包装：托盘 描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 集成电路（IC） 存储器

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
M59DR032A

32Mbit2Mbx16,DualBank,PageLowVoltageFlashMemory

DESCRIPTION TheM59DR032isa32Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-byWordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.

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意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
M59DR032AN

32Mbit2Mbx16,DualBank,PageLowVoltageFlashMemory

DESCRIPTION TheM59DR032isa32Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-byWordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.

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意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
M59DR032AZB

32Mbit2Mbx16,DualBank,PageLowVoltageFlashMemory

DESCRIPTION TheM59DR032isa32Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-byWordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
M59DR032B

32Mbit2Mbx16,DualBank,PageLowVoltageFlashMemory

DESCRIPTION TheM59DR032isa32Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-byWordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
M59DR032BN

32Mbit2Mbx16,DualBank,PageLowVoltageFlashMemory

DESCRIPTION TheM59DR032isa32Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-byWordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.

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M59DR032EA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M59DR032EA

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    32 Mbit(2Mb x 16, Dual Bank, Page ) 1.8V Supply Flash Memory

M59DR032EA供应商更多...

更新时间：2024-5-31 11:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市星佑电子有限公司
M59DR032EALDZB6
ST/意法
21+
BGA
20000
全新原装 公司现货 价优
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
M59DR032EA10ZB6T
ST/意法
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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M59DR032EA10ZB6T
STMicroelectronics
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ICFLASH32MBIT100NS48TFBG
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司
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ST
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深圳市柯尔基电子有限公司
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司
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ST意法半导体
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BGA
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