型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
M29DW128F70NF6E

128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory

Features summary ■ Supply Voltage – VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and Read – VCCQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP =12V for Fast Program (optional) ■ ASYNCHRONOUS RANDOM/PAGE READ – Page Width: 8 Words – Page Access: 25, 30ns – Random Access: 60, 70ns ■ PROGRAMMING TIME – 1

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M29DW128F70NF6E

128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory

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意法半导体

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NUMONYX

M29DW128F70NF6E

封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 包装:管件 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory

Features summary ■ Supply Voltage – VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and Read – VCCQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP =12V for Fast Program (optional) ■ ASYNCHRONOUS RANDOM/PAGE READ – Page Width: 8 Words – Page Access: 25, 30ns – Random Access: 60, 70ns ■ PROGRAMMING TIME – 1

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意法半导体

128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory

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意法半导体

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NUMONYX

M29DW128F70NF6E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M29DW128F70NF6E

  • 功能描述

    闪存 STD FLASH 128 MEG

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度

    1 bit

  • 存储类型

    Flash

  • 存储容量

    2 MB

  • 结构

    256 K x 8

  • 接口类型

    SPI

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.3 V

  • 最大工作电流

    15 mA

  • 工作温度

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
5070
原装现货,当天可交货,原型号开票
ST
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
ST/意法
25+
FBGA
996880
只做原装,欢迎来电资询
Micron
22+
56TSOP (14x20)
9000
原厂渠道,现货配单
STM
25+
BGA64
2568
原装优势!绝对公司现货
ST/意法
23+
FBGA
98900
原厂原装正品现货!!
ST
23+
FBGA
16900
正规渠道,只有原装!
SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
ST/意法
23+
TSOP
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
STM
BGA64
53650
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

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