位置：首页 > IC中文资料 > M28F256-10XB6TR
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
M28F256-10XB6TR | 256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY
| STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
M28F256-10XB6TR | 512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory DESCRIPTION The M28F512 FLASH Memory is a non-volatile memory which may be erased electrically at the chip level and programmed byte-by-byte. It is organised as 64K bytes of 8 bits. It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provides a simple microprocessor int | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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M28F256-10XB6TR规格书下载地址
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2019-6-18
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