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M28F101-90XP1

1Mb128Kx8,ChipEraseFLASHMEMORY

DESCRIPTION TheM28F101FLASHMemoryisanon-volatilememorywhichmaybeerasedelectricallyatthe chiplevelandprogrammedbyte-by-byte.Itisorganisedas128Kbytesof8bits.Itusesacommandregisterarchitecturetoselecttheoperatingmodesandthusprovidesasimplemicroprocess

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-7-26 15:47:00
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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