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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The μ PA2200T1M is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 23 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 4 A) • Bui

RENESAS

瑞萨

M2200T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M2200T1

  • 制造商

    OMRON AUTOMATION AND SAFETY

  • 功能描述

    SOCKET UNIT 110VAC XFRMR SOLDER

  • 制造商

    OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION

  • 功能描述

    INDICATOR BODY XFMR 110V

更新时间:2025-12-24 23:01:02
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