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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON)

HOTTECH

合科泰

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS

TUOFENG

拓锋半导体

MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

20V P-Channel Increased MOS FET

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FUMAN

富满微

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:972.94 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-27 11:32:01
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    MAX1668MEE NCV213RSQT2G NCV7344MW3T1G DRV8436PWPR LM74801QDRRRQ1 PIC32MX470F512L-120/PF MSP430F4152IPMR INA216A3RSWR TPS62200DBVR SN74LVC16245ADGGR TPS61161ADRVR STD4NK80ZT4 TPS26400RHFR PIC18F87K90-I/PT INA226AIDGSR NCP380LMUAJAATBG ADS130B0

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    LTC1992 器件均具有一个单独的内部共模反馈通路,用于获得超群的输出相位平衡并降低二阶谐波。VOCM 引脚负责设定独立于输入共模电平的输出共模电平。该功能使得信号的电平移位简单易行。

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    LT8705EFE ,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-13
  • LTC1043-双精密Intrumentation开关电容大厦A座

    LTC®2436-1是一个2通道差分输入微功耗16位无延迟DSTM模拟数字转换器一个整合的振荡器。它提供0.5LSBINL和800nV RMS噪声独立的VREF。这两个差分通道,一个通道交替转换识别包含在转换结果。它使用Δ-Σ技术,并提供单次转换解决了数字滤波器。通过一个单一的引脚,LTC2436-1可配置优于87分贝输入差模抑制在50Hz和60Hz的±2%,或可以由一个外部振荡器为一个用户定义的拒绝的频率。内部振荡器无需外部频率设定元件。该转换器可以接受任何外部差分基准灵活的比例电压从0.1V至VCC遥感测量配置。在满刻度差分输入范围是从 - 到0.5•0.5•

    2012-12-25