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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 5.5A, RDS(ON) = 42mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 59mΩ @VGS = 4.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ TSOP-6 package.

CET

华瑞

General-Purpose Switching Device

Features • ON-resistance RDS(on)1=54mΩ(typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance

SANYO

三洋

N-Channel 30V (D-S) MOSFET

文件:135.53 Kbytes Page:2 Pages

AnalogPower

N-Channel 30V (D-S) MOSFET

文件:211.08 Kbytes Page:3 Pages

AnalogPower

30V N-Channel MOSFET

文件:366.55 Kbytes Page:5 Pages

AOSMD

万国半导体

更新时间:2025-12-31 13:28:01
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    2023-3-15
  • LT3094EDD#PBF

    优势渠道

    2022-11-30
  • LT3470ETS8#TRMPBF

    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

    2021-9-26
  • LT3462ES6#TRPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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