| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,5.5A,RDS(ON)=42mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=59mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSOP-6package. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 |  |   | |
General-PurposeSwitchingDevice Features •ON-resistanceRDS(on)1=54mΩ(typ.) •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 |  | | |
N-Channel30V(D-S)MOSFET 文件：135.53 Kbytes Page：2 Pages | AnalogPower Analog Power |  | | |
N-Channel30V(D-S)MOSFET 文件：211.08 Kbytes Page：3 Pages | AnalogPower Analog Power | | | |
30VN-ChannelMOSFET 文件：366.55 Kbytes Page：5 Pages | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
20+ |
TO-23 |
27000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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SANYO/三洋 |
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ON |
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ONSEMI |
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