| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ⚫ Power Management Features ⚫ VDS=-20V ⚫ ID=-3.8A ⚫ RDS(ON)@VGS=-4.5V, TYP 41mΩ ⚫ RDS(ON)@VGS=-2.5V, TYP 55mΩ | ACE |   | ||
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.050 EJECTOR HEADER ASSEMBLY 文件：271.95 Kbytes Page：3 Pages | Samtec 美国申泰 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2025-7-10LT1167CS8#TRPBF
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2022-10-20LT1166CS8#PBF
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2022-5-23LT1172CS8
SMD/SMT 开关稳压器 , TPS62823 开关稳压器 , SOT-23-6 开关稳压器 , 3.3 V 开关稳压器 , 5 V TO-263-5 LM2576 开关稳压器 , TPS61022 开关稳压器
2021-11-17LT1172IS8原装现货热卖
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2021-2-3LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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