| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MA MOTION SENSOR - Reliable detection hardly influenced by reflectivity of targeted objects - Ready-to-use with DC power source (built-in oscillation circuit type) - Capability to adjoin sensors (External triggering type) - RoHS compliant | Panasonic 松下 |   | ||
USB A FEMALE-USB B MALE 文件：42.01 Kbytes Page：1 Pages | ASSMANNAssmann Electronics Inc. 阿斯曼电子 | | ||
Low voltage Output LDO Regulator 文件：540.35 Kbytes Page：19 Pages | HUAXINAN 华兴安 | | ||
14V Input / 100mA Low voltage Output LDO Regulator 文件：540.52 Kbytes Page：19 Pages | AKM 旭化成微电子 | | ||
Flag Krimptite??Quick Disconnect, Female, for 14-16 (2.00-1.30) Wire, Box, Tab6.35mm (.250) x 0.81mm (.032) 文件：109.34 Kbytes Page：2 Pages | Molex 莫仕 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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进口代理
2022-10-20LT1166CS8#PBF
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2022-5-23LT1129IQ
SOT-23-3 LDO稳压器，1个输出DFN-8 LDO稳压器，5 A LDO稳压器，1个输出固定3.8 V LDO稳压器，750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器，LT3080-1 LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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