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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
LT1158ISW#TRPBF | 封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | AD 亚德诺 |   | |
Chopper-Stabilized, Two Wire Hall-Effect Switches Description The A1150, A1152, A1153, A1155, A1156, A1157, and A1158 comprise a family of two-wire, unipolar, Hall-effect switches, which are factory-trimmed to optimize magnetic switchpoint accuracy. These devices are produced on the Allegro® advanced BiCMOS wafer fabrication process, which imp | ALLEGRO | | ||
Chopper-Stabilized, Two Wire Hall-Effect Switches Description The A1150, A1152, A1153, A1155, A1156, A1157, and A1158 comprise a family of two-wire, unipolar, Hall-effect switches, which are factory-trimmed to optimize magnetic switchpoint accuracy. These devices are produced on the Allegro® advanced BiCMOS wafer fabrication process, which imple | ALLEGRO | | ||
Chopper-Stabilized, Two Wire Hall-Effect Switches Description The A1150, A1152, A1153, A1155, A1156, A1157, and A1158 comprise a family of two-wire, unipolar, Hall-effect switches, which are factory-trimmed to optimize magnetic switchpoint accuracy. These devices are produced on the Allegro® advanced BiCMOS wafer fabrication process, which imp | ALLEGRO | | ||
Premier Supplier of Electronic Hardware 文件：5.0379 Mbytes Page：60 Pages | ABBATRON | | ||
Chopper-Stabilized, Two-Wire Hall-Effect Switches 文件：955.16 Kbytes Page：14 Pages | ALLEGRO | |
LT1158ISW#TRPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1158ISW#TRPBF
- 功能描述
IC MOSFET DVR 1/2BRDG NCH 16SOIC
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
5
- 系列
-
- 配置
低端
- 输入类型
非反相
- 延迟时间
600ns 电流 -
- 峰
12A
- 配置数
1
- 输出数
1 高端电压 -
- 最大（自引导启动）
-
- 电源电压
14.2 V ~ 15.8 V
- 工作温度
-20°C ~ 60°C
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
21-SIP 模块
- 供应商设备封装
模块
- 包装
散装
- 配用
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
- 其它名称
835-1063
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LT/凌特 |
20+ |
SOP16 |
67500 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ADI(亚德诺) |
24+ |
SO-16-300mil |
5768 |
百分百原装正品,可原型号开票 |
|||
LT |
2023+ |
SOP-16 |
50000 |
全新原装现货 |
|||
ADI/亚德诺 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
LINEAR |
20+ |
SOP16 |
8000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
LINEAR/凌特 |
22+ |
SOIC |
18000 |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
|||
LINEAR(凌特) |
2511 |
4505 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
||||
ADI/亚德诺 |
25+ |
SOIC-16 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
LINEAR |
25+23+ |
SOP16 |
74626 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
ADI |
24+ |
16-Lead SOIC (Wide 0.3 Inch) |
3660 |
十年信誉,只做全新原装正品现货,以优势说话 !! |
LT1158ISW#TRPBF芯片相关品牌
LT1158ISW#TRPBF规格书下载地址
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LT1158ISW#TRPBF数据表相关新闻
LT1129MPST-3.3#PBF
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2023-3-20LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3 LDO稳压器，1个输出DFN-8 LDO稳压器，5 A LDO稳压器，1个输出固定3.8 V LDO稳压器，750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器，LT3080-1 LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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