| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
0Hz/DCto18GHz,SP4T,MEMSSwitch GENERALDESCRIPTION TheADGM1144isawideband,single-pole,four-throw(SP4T) switch,fabricatedusingAnalogDevices,Inc.,microelectromechanical system(MEMS)switchtechnology.Thistechnologyenablesa smallformfactor,wideRFbandwidth,highlylinear,lowinsertion lossswitchthati | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  |   | |
Low-ProfileOscilloscopes 文件：4.30336 Mbytes Page：17 Pages | KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司 |  | | |
HDSL/MDSLANALOGFRONTEND 文件：114.73 Kbytes Page：11 Pages |  | | ||
HDSL/MDSLANALOGFRONTEND 文件：114.73 Kbytes Page：11 Pages | | | ||
LimitAlarms(potentiometeradj.)A-UNIT 文件：126.72 Kbytes Page：4 Pages | MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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www.58chip.com
2022-5-23LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3LDO稳压器，1个输出DFN-8LDO稳压器，5ALDO稳压器，1个输出固定3.8VLDO稳压器，750mA5VSMD/SMTLDO稳压器，LT3080-1LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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