型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

5W primary side control high precision constant voltage/constant current controller

Features ◆ Constant voltage accuracy within 5%, constant current accuracy within 5%. ◆ Primary feedback eliminates TL431 and optocoupler to reduce costs. ◆ Low startup current: 1μA (typical) ◆ Low quiescent current: 300μA (typical) ◆ Adjustable output constant voltage, constant curr

Chiplink

智浦芯联

Single Contact Bayonet Base

S-8 Single Contact Bayonet Base

VCC

S-8 Single Contact Bayonet Base

S-8 Single Contact Bayonet Base Chicago Miniature Lamp reserves the right to make specification revisions that enhance the design and/or performance of the product

CML

Micropower Low Dropout Regulators with Shutdown

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LINEAR

Micropower Low Dropout Regulators with Shutdown

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LINEAR

更新时间:2025-11-4 14:31:01
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    2021-7-15
  • LT1129IQ

    SOT-23-3 LDO稳压器,1个输出DFN-8 LDO稳压器,5 A LDO稳压器,1个输出固定3.8 V LDO稳压器,750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器,LT3080-1 LDO稳压器

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  • LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器

    描述 作者:LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护,防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入,LT1158将自动关闭出现故障的事件,然后重试时,一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。

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    描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2

    2013-2-27