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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 53A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.07Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

47A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

600V 0.07(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V 0.07(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V N-Channel MOSFET

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MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

更新时间:2025-12-28 16:51:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAGNACHIP/美格纳
24+
NA/
4250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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