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LND20N60

平面VDMOS

LONTEN

龙腾半导体

20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

更新时间:2026-1-2 23:01:00
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Microchip
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TO2363 SC59 SOT233
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    2022-7-22
  • LNK302DG-TL

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    2021-1-17
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    2019-12-3
  • LND-7800-低压差稳压器

    该LND-7800/78L00是“线性尺寸的流行LND- 7800版系列低压差稳压器系列。这些器件提供电压调节在极低的成本。这些器件的应用非常有用,特别是在如墙壁适配器,玩具,或墙壁插不属于电力设备关键,但需要功率调节。这些器件可在一个包括5,6,8,9,12,15,18和24V的各种电压品种。它是如何工作的?使用该设备只需连接电源和GND引脚,中心销将代表稳压输出电压。我如何得到样品吗?该LND-7800/78L00是标准的TO- 92塑料封装在两个样品和量。订货时,请用适当的00电压等级,例如。 LND-7805会导致5V,TO -92塑料封装一部分。 特点

    2013-1-20