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20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件:1.15549 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

更新时间:2025-12-30 17:48:01
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    进口代理

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  • LNK302DG-TL

    LNK302DG-TL

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  • LN6206P302VR LN

    www.hfxcom.com

    2021-11-27
  • LN80480T050IC4004 本公司只做原装正品,欢迎新老客户的支持。

    做的是诚信,卖的是良心。

    2021-1-17
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

    2019-12-3
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