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600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

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MPS

美国芯源

600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

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Schottky Barrier Diode

FEATURES * Similar to TO-247AC(TO-3P)Case * Extremely Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss,High Efficiency * High Surge Current Capability

NIEC

更新时间:2026-1-4 23:01:01
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