型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
LN60A01EP

600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

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MPS

美国芯源

600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

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Schottky Barrier Diode

FEATURES * Similar to TO-247AC(TO-3P)Case * Extremely Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss,High Efficiency * High Surge Current Capability

NIEC

LN60A01EP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LN60A01EP

  • 功能描述

    MOSFET 600V, 3 N-Channel FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 20:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MPS/美国芯源
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百分百原装正品,可原型号开票

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