型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
LMH6619QMAKX/NOPB

130 MHz, 1.25 mA RRIO Operational Amplifier

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TI1

德州仪器

DirectFET Power MOSFET

Description The IRF6619 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout

IRF

RF AMPLIFIER MODEL

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APITECH

N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device

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SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

General-Purpose Switching Device Applications

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SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

Low Profile (0.7 mm)

文件:287.67 Kbytes Page:10 Pages

IRF

LMH6619QMAKX/NOPB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LMH6619QMAKX/NOPB

  • 功能描述

    运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 通道数量

    4

  • 共模抑制比(最小值)

    63 dB

  • 输入补偿电压

    1 mV

  • 输入偏流(最大值)

    10 pA

  • 工作电源电压

    2.7 V to 5.5 V

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 转换速度

    0.89 V/us

  • 关闭

    No

  • 输出电流

    55 mA

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-12 20:57:00
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