位置：首页 > IC中文资料第936页 > LMH6619QMAKX/NOPB
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
LMH6619QMAKX/NOPB | 130 MHz, 1.25 mA RRIO Operational Amplifier 文件：1.21032 Mbytes Page：30 Pages | TI1 德州仪器 |   | |
DirectFET Power MOSFET Description The IRF6619 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout | IRF | | ||
RF AMPLIFIER MODEL 文件：196.47 Kbytes Page：1 Pages | APITECH | | ||
N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device 文件：58.7 Kbytes Page：7 Pages | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | | ||
General-Purpose Switching Device Applications 文件：445.59 Kbytes Page：7 Pages | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | | ||
Low Profile (0.7 mm) 文件：287.67 Kbytes Page：10 Pages | IRF | |
LMH6619QMAKX/NOPB产品属性
- 类型
描述
- 型号
LMH6619QMAKX/NOPB
- 功能描述
运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 通道数量
4
- 共模抑制比（最小值）
63 dB
- 输入补偿电压
1 mV
- 输入偏流（最大值）
10 pA
- 工作电源电压
2.7 V to 5.5 V
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
QFN-16
- 转换速度
0.89 V/us
- 关闭
No
- 输出电流
55 mA
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSC |
24+ |
SO-8 |
2250 |
100%全新原装公司现货供应!随时可发货 |
|||
NS |
2016+ |
SOP8 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
TI |
2016+ |
QFP |
2585 |
只做进口原装现货!或者订货,假一赔十! |
|||
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
||||
TI/德州仪器 |
24+ |
SOIC-8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
TI |
21+ |
12588 |
原装正品 |
||||
TI |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
NS |
25+ |
SOICNARROW-8 |
3600 |
全新原装进口,公司现货! |
|||
TI(德州仪器) |
2447 |
SOIC-8 |
315000 |
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TI |
2025+ |
SOIC-8 |
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2019-5-23
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