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8550	GENERALDESCRIPTION The8550isaPNPepitaxialsiliconplannartransistordesignedforuseintheaudiooutputstageandconverter/invertercircuitsComplementaryto8050.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics
8550	PNPTRANSISTOR PNPTRANSISTOR •PowerDissipation:1.0W •CollectorCurrent:-1.5A •Collector-BaseVoltage:-45V	STANSONStanson Technology Stanson 科技
8550	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.
8550	AXLEETHDI8DO8M126P 文件：323.25 Kbytes Page：22 Pages	PhoenixPhoenix Contact 菲尼克斯电气德国菲尼克斯电气集团
8550	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor 文件：105.66 Kbytes Page：5 Pages	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司

LM8550I产品属性

类型
描述
型号
LM8550I
制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
- Bulk

LM8550I供应商更多...

更新时间：2024-5-19 23:00:02

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焕盛达竭诚为您提供一站式配套服务。当天下单，当天发货；
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LM94023，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
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LM9061-功率MOSFET驱动器，无损保护
一般描述该LM9061是电荷泵器件，它提供栅极驱动外部功率MOSFET任何规模配置作为一个高边驱动器或开关。CMOS逻辑兼容ON/OFF输入控制输出门极驱动电压。在ON状态时，电荷泵电压，这是远高于可用VCC电源，直接应用到门的MOSFET。一个内置15V的齐纳钳位最大门源电压的MOSFET。当命令关闭一110毫安灌电流放电电容的大门为逐步关断特性的MOSFET，以尽量减少感性负载的持续时间和瞬态电压进一步保护功率MOSFET。对功率MOSFET无损保护是一个重要特点的LM9061。电压降（VDS）的整个电源设备不断监测和对一个比较外部可编程阈值电压。小电流传感与负
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LM3350是一个CMOS电荷泵电压转换器有效地提供一个3.3V到5V的步骤，或5V至3.3V降压。LM3350采用了四个小，成本低电容提供电压转换。它消除了成本，尺寸和辐射相关EMI，或基于电感的电路线性稳压器的功率损耗。工作电源转换效率大于90％，提供了理想的性能电池供电的便携式系统。该架构提供了一个固定的电压转换比3/2或2/3。因此，它可以用于其他的DC-DC转换以及。主要技术指标800kHz的开关频率允许使用非常小的，廉价的电容器。4.2W典型的升压输出阻抗1.8W典型的降压输出阻抗
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