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PD84008-E	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD84008-EisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD84008-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
PD84008L-E	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description TheisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat7.5Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.boaststheexcellentgain,linearitya	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
PD84008S-E	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD84008-EisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD84008-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
PD84008STR-E	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD84008-EisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD84008-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GC84008	PASSIVEDEVICESMNSCapacitors 文件：78.12 Kbytes Page：2 Pages	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司

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更新时间：2025-5-16 16:30:01

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一般描述该LM9061是电荷泵器件，它提供栅极驱动外部功率MOSFET任何规模配置作为一个高边驱动器或开关。CMOS逻辑兼容ON/OFF输入控制输出门极驱动电压。在ON状态时，电荷泵电压，这是远高于可用VCC电源，直接应用到门的MOSFET。一个内置15V的齐纳钳位最大门源电压的MOSFET。当命令关闭一110毫安灌电流放电电容的大门为逐步关断特性的MOSFET，以尽量减少感性负载的持续时间和瞬态电压进一步保护功率MOSFET。对功率MOSFET无损保护是一个重要特点的LM9061。电压降（VDS）的整个电源设备不断监测和对一个比较外部可编程阈值电压。小电流传感与负
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