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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNEL POWER MOSFETS N-Channel Power MOSFETs | SAMSUNG 三星 |   | ||
Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz) Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC = | NTE | | ||
High Voltage Operational Amplifier 文件：228.44 Kbytes Page：12 Pages | NSC 国半 | | ||
SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：114.26 Kbytes Page：7 Pages | TI 德州仪器 | | ||
SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：114.26 Kbytes Page：7 Pages | TI 德州仪器 | |
LH343产品属性
- 类型
描述
- 型号
LH343
- 制造商
Burndy
- 功能描述
2/0 To 500 Bus Support
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2022-8-2LHA-1H+
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2021-6-30LI10768T104HB3001 本公司只做原装正品，欢迎新老客户的支持。
做的是诚信，卖的是良心。
2021-1-17LI48480T040HA3004 本公司只做原装正品，欢迎新老客户的支持。
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2021-1-17LGA676-P1Q2-24-Z 发光二极管 十年IC，只做原装。
LGA676-P1Q2-24-Z 十年IC，只做原装。
2020-10-15LH0002H/883，LH0002H-MIL，LH0005AH，LH0005AH/883B，LH0005CH，LH0005H/883，LH0020CG，ELEX14308F，ELH0032CG，ELH0101AK/883B，ELLI432，ELLS100，ELM7S32EL，ELM9727CBA-S，ELMOS10101C，ELMOS71102A，ELT0
LH0002H/883，LH0002H-MIL，LH0005AH，LH0005AH/883B，LH0005CH，LH0005H/883，LH0020CG，ELEX14308F，ELH0032CG，ELH0101AK/883B，ELLI432，ELLS100，ELM7S32EL，ELM9727CBA-S，ELMOS10101C，ELMOS71102A，ELT0
2019-12-25
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