| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD246 Series ● 80 W at 25°C Case Temperature ● 10 A Continuous Collector Current ● 15 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available | POINN |   | ||
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier Description: The NTE245 (NPN) and NTE246 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type case designed for use as output devices in general purpose amplifier applications. Features: • High DC Current Gain: hFE = 4000 Typ @ IC = 5A • Monolithic Construction with B | NTE | | ||
N-channel silicon field-effect transistors 文件：97.4 Kbytes Page：11 Pages | PHILIPS 飞利浦 | | ||
N-channel silicon field-effect transistors 文件：97.4 Kbytes Page：11 Pages | PHILIPS 飞利浦 | | ||
VHF power MOS transistor 文件：91.6 Kbytes Page：12 Pages | PHILIPS 飞利浦 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NTE |
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全新-电源模块 |
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NTE |
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NTE |
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