| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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LCE01P30 | LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.10161 Mbytes Page：6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 |   | |
LCE01P30 | MOSFET场效应管 | LEIDITECH 雷卯电子 | | |
MOSFET场效应管 | LEIDITECH 雷卯电子 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：994.89 Kbytes Page：6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 | | ||
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON) | NCEPOWER 新洁能 | | ||
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P30I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON) | NCEPOWER 新洁能 | | ||
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：348.33 Kbytes Page：7 Pages | NCEPOWER 新洁能 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
13000 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
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LITTLEFUSE |
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原厂原封 |
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原装正品 |
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VishayLittelfuse |
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Littelfuse(美国力特) |
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2019-7-2
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