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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI MSC82003 is Designed for General Purpose Class C Power Amplifier Applications up to 2300 MHz. FEATURES: • PG = 10 dB min. at 3 W/ 2,000 MHz • Hermetic Microstrip Package • Omnigold™ Metalization System

ASI

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

DESCRIPTION The MSC82003 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave transistor utilizing a fishbone emitter ballasted geometry with a refractory/gold metallization system. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated rated conditions.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

10Gb Duplex Multimode 50-125 OM3 LSZH Fiber

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TRIPPLITE

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更新时间:2025-12-25 23:01:01
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