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KSH31价格

参考价格：￥1.2714

型号：KSH31CTF 品牌：Fairchild 备注：这里有KSH31多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，KSH31批发/采购报价，KSH31行情走势销售排行榜，KSH31报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
KSH31

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

ISC

无锡固电

KSH31

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

ISC

无锡固电

KSH31

General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications

General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications • Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP31C

FAIRCHILD

仙童半导体

KSH31-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

ISC

无锡固电

KSH31-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

ISC

无锡固电

KSH31C

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

ISC

无锡固电

KSH31C

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

ISC

无锡固电

KSH31C

General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications

General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications • Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP31C

FAIRCHILD

仙童半导体

KSH31C

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Lead formed for surface mount applications(NO suffix) • Straight lead(IPAK,“ －I” suffix) • Electrically similar to popular TIP31C • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • General purpose amplifie

ISC

无锡固电

KSH31C

NPN Epitaxial Silicon Transistor

•用于表面贴装应用的引脚排列（无后缀）\n•直引脚（I-PAK，“-I”后缀）\n•电气特性类似于流行的 TIP32 和 TIP32C\n•通用放大器和低速开关应用;

ONSEMI

安森美半导体

KSH31C-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

ISC

无锡固电

KSH31C-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

ISC

无锡固电

KSH31CTM

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

KSH31TF

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：TRANS NPN 40V 3A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

KSH31产品属性

  • 类型

    描述

  • Compliance：

    Pb-freeHalide free

  • Status：

     Active  

  • Description：

     NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity：

    NPN

  • Type：

    General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)：

    Condition

  • IC Cont. (A)：

    3

  • VCEO Min (V)：

    100

  • VCBO (V)：

    100

  • VEBO (V)：

    5

  • VBE(on) (V)：

    Condition

  • hFE Min：

    Condition

  • hFE Max：

    Condition

  • fT Min (MHz)：

    Condition

  • PTM Max (W)：

    15

  • Package Type：

    DPAK-3

KSH31供应商更多...

更新时间：2026-5-14 14:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市华来深电子有限公司
KSH31C
FAIRCHI
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KSH31CTM
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KSH31规格书下载地址

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