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KSH31-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 40V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

ISC

无锡固电

更新时间:2025-11-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NA/
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