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KSH31C-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 100V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS · Low frequency amplifier

ISC

无锡固电

更新时间:2026-1-28 22:30:00
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