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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
KMM366S1623AT | 16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD 文件：810.44 Kbytes Page：12 Pages | Samsung 三星 |   | |
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD 文件：810.44 Kbytes Page：12 Pages | Samsung 三星 | | ||
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD | Samsung 三星 | | ||
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16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD 文件：810.44 Kbytes Page：12 Pages | Samsung 三星 | | ||
PC100 SDRAM MODULE Preliminary GENERAL DESCRIPTION The Samsung KMM366S1623CT is a 16M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung KMM366S1623CT consists of sixteen CMOS 8M x 8 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a 2K EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 168-pin glass-epoxy | Samsung 三星 | | ||
PC100 SDRAM MODULE 文件：527.63 Kbytes Page：11 Pages | Samsung 三星 | | ||
PCS SDRAM MODULE 文件：565.49 Kbytes Page：11 Pages | Samsung 三星 | | ||
PCS SDRAM MODULE 文件：565.49 Kbytes Page：11 Pages | Samsung 三星 | |
KMM366S1623AT产品属性
- 类型
描述
- 型号
KMM366S1623AT
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
志丰电子 |
21+ |
30 |
全新原装鄙视假货 |
||||
SAM |
23+ |
NA |
62 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
Samsung |
ROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
KMM400VS681M35X45T2 |
244 |
244 |
|||||
SAMSUNG |
新 |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
UMITEDCHEMI-CON |
23+ |
22X40 |
66800 |
原装进口电解价格优势 |
|||
SEC |
23+ |
65480 |
|||||
NPCC |
24+ |
70 |
|||||
UMITEDCHEMI-CON |
23+ |
22X30 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
UNITED |
2022+ |
DIP |
88000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
KMM366S1623AT规格书下载地址
KMM366S1623AT参数引脚图相关
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- ku波段
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2022-12-28KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26KNP1/2W-10Ω±5% T
属性 参数值 商品目录 绕线电阻 功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 10
2020-9-8KNP1/2W-100Ω±5% T
属性 参数值 商品目录 绕线电阻 功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
KMRX1000BM-B614 原装现货 低价出售
2019-2-19
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