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KMB7D0NP30QA

N and P-Ch Trench MOSFET

General Description Switching regulator and DC-DC Converter applications. It s mainly suitable for Back-light Inverter. FEATURES • N-Channel : VDSS=30V, ID=7A. : RDS(ON)=23.5mΩ (Max.) @ VGS=10V : RDS(ON)=39mΩ (Max.) @ VGS=4.5V • P-Channel : VDSS=-30V, ID=-5A. : RDS(ON)=4

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KMB7D0NP30QA

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank

VBSEMI

微碧半导体

KMB7D0NP30QA

N and P-Ch Trench MOSFET

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KMB7D0NP30QA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KMB7D0NP30QA

  • 制造商

    KEC

  • 制造商全称

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述

    N and P-Ch Trench MOSFET

更新时间:2026-3-2 23:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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原装进口公司现货假一赔百

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