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KMA7D0NP30Q	N and P-CH Trench MOSFET 文件：92.13 Kbytes Page：8 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KMA7D0NP30Q	N and P-CH Trench MOSFET	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KMB7D0NP30QA	N and P-Ch Trench MOSFET General Description Switching regulator and DC-DC Converter applications. It s mainly suitable for Back-light Inverter. FEATURES • N-Channel : VDSS=30V, ID=7A. : RDS(ON)=23.5mΩ (Max.) @ VGS=10V : RDS(ON)=39mΩ (Max.) @ VGS=4.5V • P-Channel : VDSS=-30V, ID=-5A. : RDS(ON)=4	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KMB7D0NP30QA	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
KMB7D0NP30QA	N and P-Ch Trench MOSFET 文件：1.32193 Mbytes Page：9 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC

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更新时间：2026-3-3 8:31:00

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KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-10Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 10
2020-9-8
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
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2019-2-19