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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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KMB6D0DN30QB | Dual N-Ch Trench MOSFET 文件:380.54 Kbytes Page:5 Pages | KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司 | ||
KMB6D0DN30QB | Dual N-Ch Trench MOSFET | KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司 | ||
Dual N-Ch Trench MOSFET GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and DC-DC Converter Applications. FEATURES • VDSS=30V, ID=6A. • Drain-Source | KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司 | |||
Dual N-Ch Trench MOSFET 文件:62.05 Kbytes Page:5 Pages | KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEC |
09+ |
SOP8 |
812 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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KEC |
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50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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原厂原封可拆样 |
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KEC |
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KEC |
FLP8 |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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KEC |
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FLP-8 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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KEC |
07+P |
SOP-8 |
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原装现货 |
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KEC |
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