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KMB6D0DN30QB

Dual N-Ch Trench MOSFET

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KEC

KEC(Korea Electronics)

KMB6D0DN30QB

Dual N-Ch Trench MOSFET

KEC

KEC(Korea Electronics)

Dual N-Ch Trench MOSFET

GENERAL DESCRIPTION This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and DC-DC Converter Applications. FEATURES • VDSS=30V, ID=6A. • Drain-Source

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Dual N-Ch Trench MOSFET

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更新时间:2025-11-22 23:00:00
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