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KMB6D0DN30QA中文资料

厂家型号

KMB6D0DN30QA

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5

功能描述

Dual N-Ch Trench MOSFET

数据手册

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简称

KEC

生产厂商

KEC(Korea Electronics)

中文名称

官网

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GENERAL DESCRIPTION

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and DC-DC Converter Applications.

FEATURES

• VDSS=30V, ID=6A.

• Drain-Source ON Resistance.

RDS(ON)=28m Ω (Max.) @VGS=10V

RDS(ON)=42m Ω (Max.) @VGS=4.5V

• Super High Dense Cell Design

• High Power and Current Handing Capability

KMB6D0DN30QA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KMB6D0DN30QA

  • 制造商

    KEC

  • 制造商全称

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述

    Dual N-Ch Trench MOSFET

更新时间:2025-10-13 15:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
KEC
2447
SOP8
100500
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KEC
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