| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON) | HOTTECH 合科泰 |   | ||
SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32 文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages | KEYSTONE Keystone Electronics Corp. | | ||
20V P-Channel Increased MOS FET 文件：299.94 Kbytes Page：2 Pages | FUMAN 富满微 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：972.94 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2022-10-20KEC,ST大量现货
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2021-7-23KD2008-CG50A-紧凑型中速厚膜热敏打印头
KD2008- CG50A是合适的，需要热的设备，如高速的POS机和标签打印机应用 能够打印头印刷率较高。改进的电源电路设计手段较重的电流，它是可能的 打印速度高达125毫米/秒的高GK系列标签打印机，需要很高的印刷速度，从而为理想。 KD2008-CG50A的特点 1）使用一个特殊的紧凑型偏釉和新的加热元件结构，达到125毫米/秒的高速打印 2）使用新开发的高度耐用的导电保护膜，对改善对策静电。 3）电源电路的VH和GND部分得到了加强，使较重目前可以应用。 4）超小型连接器，设计符合FFCS，
2012-11-9
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