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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 5.5A, RDS(ON) = 42mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 59mΩ @VGS = 4.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ TSOP-6 package.

CET

华瑞

General-Purpose Switching Device

Features • ON-resistance RDS(on)1=54mΩ(typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance

SANYO

三洋

N-Channel 30V (D-S) MOSFET

文件:135.53 Kbytes Page:2 Pages

AnalogPower

N-Channel 30V (D-S) MOSFET

文件:211.08 Kbytes Page:3 Pages

AnalogPower

30V N-Channel MOSFET

文件:366.55 Kbytes Page:5 Pages

AOSMD

万国半导体

更新时间:2025-12-25 18:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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