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1N5712	SchottkyBarrierDiodesforGeneralPurposeApplications Description The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcost glasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logorA-Dconv	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司
1N5712	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1N5712	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction •Highbreakdownvoltage •Lowturn-onvoltage •Ultrafastswitchingspeed •PrimarilyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange •ThediodeisalsoavailableintheMiniMELFcasewithtypedesignationLL5	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司
1N5712	SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5712	SchottkyBarrierDiodesforGeneralPurposeApplications Description/Applications The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcostglasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

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更新时间：2024-9-24 11:58:03

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现代芯城（深圳）科技有限公司	1N5712		24+	N/A	67000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市辰德隆电子科技有限公司	1N5712	M-PULSE	23+		6000	全新原装	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	1N5712	ST	2023+	DO-35	700000	柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分	询价
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2021-1-26
KD2008-CG50A-紧凑型中速厚膜热敏打印头
KD2008-CG50A是合适的，需要热的设备，如高速的POS机和标签打印机应用能够打印头印刷率较高。改进的电源电路设计手段较重的电流，它是可能的打印速度高达125毫米/秒的高GK系列标签打印机，需要很高的印刷速度，从而为理想。KD2008-CG50A的特点1）使用一个特殊的紧凑型偏釉和新的加热元件结构，达到125毫米/秒的高速打印2）使用新开发的高度耐用的导电保护膜，对改善对策静电。3）电源电路的VH和GND部分得到了加强，使较重目前可以应用。4）超小型连接器，设计符合FFCS，
2012-11-9

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